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  在集成芯片生產流程中，包括提純、制備、光刻、封裝。其中最關鍵的一環(huán)就是光刻。

  而光刻技術就是指集成電路制造中利用光學、化學反應原理及化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。一般的光刻工藝要經過硅片表面的清洗烘干、涂底（專用設備HMDS烤箱）、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、去除光刻膠等工序。

  在涂膠工藝中，所用到的光刻膠絕大多數(shù)是疏水的，而晶片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，如果在晶片表面直接涂膠的話，勢必會造成光刻膠和晶片的粘合性較差，甚至造成局部的間隙或氣泡，涂膠厚度和均勻性都受到了影響，從而影響了光刻效果和顯影。