就
是
對(duì)
待
工
作
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態(tài)
度
，
個(gè)產(chǎn)品，
對(duì)待每一
做到極致認(rèn)真
每一個(gè)零件
細(xì)
致
致
每一組數(shù)據(jù)
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高端光刻機(jī)光柵定位與套刻測(cè)量技術(shù)取得進(jìn)展
來(lái)源:
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作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部
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發(fā)布時(shí)間: 2022-06-15
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近日，基于對(duì)光柵衍射及其在超高精度干涉測(cè)距與成像應(yīng)用的深入研究，清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院李星輝副教授、王曉浩研究員團(tuán)隊(duì)?wèi)?yīng)邀撰文綜述高端光刻機(jī)光柵定位與套刻測(cè)量技術(shù)發(fā)展。
首先，在目前高端光刻機(jī)晶圓臺(tái)的亞納米級(jí)定位需求中，光柵干涉測(cè)量具有較大優(yōu)勢(shì)，測(cè)量分辨率可達(dá)17pm，長(zhǎng)期測(cè)量穩(wěn)定性可達(dá)0.22nm，采用先進(jìn)的二維平面光柵可以實(shí)現(xiàn)空間六自由度測(cè)量，是14nm及以下光刻工藝制程的重要技術(shù)路線。其中需要突破的關(guān)鍵技術(shù)包括多自由度與絕對(duì)式測(cè)量原理、大面積二維平面計(jì)量光柵的制作與表征、大規(guī)模并行數(shù)據(jù)的同步處理等。其次，圍繞評(píng)價(jià)多層光刻工藝之間對(duì)準(zhǔn)、監(jiān)控光刻工藝良率的關(guān)鍵參數(shù)“套刻誤差”，基于衍射技術(shù)的套刻測(cè)量技術(shù)（DBO）具有亞納米級(jí)的測(cè)量精度，逐漸成為14nm以下制程高端光刻機(jī)的套刻誤差測(cè)量中有競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)路線。但是DBO技術(shù)路徑的完善，還面臨測(cè)量精度穩(wěn)定性提升、測(cè)量量值的溯源技術(shù)、測(cè)量效率的提升等技術(shù)與工程難題。
針對(duì)上述具體問(wèn)題，李星輝、王曉浩團(tuán)隊(duì)基于多年來(lái)的工作積累及對(duì)本行業(yè)的深入了解，應(yīng)邀撰寫了領(lǐng)域綜述文章，以期為本領(lǐng)域的專家學(xué)者提供有益借鑒。
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