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北京空間機(jī)電研究所潘衛(wèi)軍研究員課題組在《航天返回與遙感》期刊上發(fā)表了以“基于量子成像的下一代甚高靈敏度圖像傳感器技術(shù)”為主題的文章。潘衛(wèi)軍研究員主要從事圖像傳感器設(shè)計(jì)與應(yīng)用的研究工作。

這項(xiàng)研究圍繞具有單光子分辨能力的量子CMOS圖像傳感器這一新型甚高靈敏度圖像傳感器，從單光子探測的噪聲特性以及固態(tài)圖像傳感器的高靈敏技術(shù)機(jī)理出發(fā)，對實(shí)現(xiàn)甚高靈敏性能的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了介紹；在此基礎(chǔ)上，詳細(xì)論述了量子CMOS圖像傳感器的技術(shù)發(fā)展歷史，并將量子CMOS圖像傳感器與其他主流單光子探測傳感器的性能進(jìn)行了對比，總結(jié)分析了未來量子CMOS圖像傳感器技術(shù)的發(fā)展趨勢，最后針對不同的航天遙感應(yīng)用需求，分析并展望了量子CMOS圖像傳感器的應(yīng)用模式及應(yīng)用特點(diǎn)。

在固態(tài)圖像傳感器領(lǐng)域，CMOS圖像傳感器技術(shù)的發(fā)展大致經(jīng)歷了三次技術(shù)飛躍：第一次為無源像素到有源像素的發(fā)展；第二次為科學(xué)級CMOS圖像傳感器的發(fā)展；第三次是量子CMOS圖像傳感器的發(fā)展。量子CMOS圖像傳感器的關(guān)鍵技術(shù)主要有深亞飛法低浮置擴(kuò)散（FD）電容技術(shù)、跨導(dǎo)變積分放大技術(shù)以及列級相關(guān)多采樣（CMS）技術(shù)等。

深亞飛法級小電容技術(shù)

量子CMOS圖像傳感器技術(shù)的重大突破，給高靈敏圖像傳感器在航天遙感應(yīng)用領(lǐng)域中的應(yīng)用格局帶來重大變化。因此，應(yīng)當(dāng)積極提前布局，一方面深入研究量子CMOS圖像傳感器的技術(shù)特點(diǎn)，另一方面，結(jié)合航天遙感應(yīng)用的需求特點(diǎn)，在拓展應(yīng)用領(lǐng)域、提升應(yīng)用水平方面，尋求與量子CMOS圖像傳感器技術(shù)優(yōu)勢的契合，實(shí)現(xiàn)我國航天光學(xué)遙感器技術(shù)水平的跨越式發(fā)展。

CMOS潔凈烘箱

CMOS潔凈烘箱，程控式潔凈箱特點(diǎn)

超潔凈H.E.P.A，(特殊風(fēng)道設(shè)計(jì))過濾效果可達(dá)99.99%,Class100

采用液晶觸摸屏溫度控制器，內(nèi)置曲線查詢、PID自整定、高溫上限報(bào)警

運(yùn)行方式：定值、程式，中、英文操作。

CMOS潔凈烘箱，程控式潔凈箱技術(shù)規(guī)格：

1 .內(nèi)腔尺寸

 W450mm×D450mm×H450mm

 W600mm×D600mm×H600mm

 W500mm×D600mm×H700mm

 W700mm×D800mm×H900mm

 W1000mm×D1200mm×H1000mm

多尺寸定制

2 . 材質(zhì)：外箱采用冷軋板噴塑，內(nèi)箱采用SUS304不銹鋼

3.溫度范圍：RT+20-400℃，常用溫度≤350℃

4.溫度分辨率：0.1℃

5 .溫度波動(dòng)度:＜±0.5℃

6. 溫度均勻度: ≤±1.5%℃

7.潔凈度:class 100，設(shè)備采用無塵材料，適用100級光刻間凈化環(huán)境

  百級潔凈烘箱用于半導(dǎo)體、電子元件高溫烘烤、銀膠烘烤、光刻膠固化，IC芯片制造預(yù)烘烤（軟烘）、堅(jiān)膜烘烤（硬烘）、治具干燥、電子陶瓷材料無塵烘干的特殊工藝要求，適用于觸摸屏、晶圓、LED、PCB板、ITO玻璃等 ，醫(yī)療、電子、太陽能、新材料等行業(yè).