就
是
對(duì)
待
工
作
的
態(tài)
度
，
個(gè)產(chǎn)品，
對(duì)待每一
做到極致認(rèn)真
每一個(gè)零件
細(xì)
致
致
每一組數(shù)據(jù)
-
智能型HMDS真空系統(tǒng)（JS-HMDS90-AI）
-
潔凈烘箱，百級(jí)無(wú)塵烘箱
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氮?dú)夂嫦?，精密充氮烘?/div>LCP熱處理烘箱，LCP纖維氮?dú)夂嫦?/div>熱風(fēng)循環(huán)真空烘箱，高溫?zé)犸L(fēng)真空烤箱HMDS預(yù)處理系統(tǒng)(JS-HMDS90 )智能型無(wú)塵無(wú)氧烘箱（PI烤箱）真空無(wú)氧固化爐，高溫?zé)o氧烘箱精密烤膠臺(tái)，高精度烘膠機(jī)超低溫試驗(yàn)箱，零下-120度高低溫箱
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PI固化厭氧烘箱，聚酰亞胺固化爐使用注意事項(xiàng)
來(lái)源:
|
作者:pro00ad5e
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發(fā)布時(shí)間: 2015-05-21
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PI固化專用厭氧烘箱，聚酰亞胺固化爐應(yīng)用機(jī)制：
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是微電子技術(shù)與機(jī)械,光 學(xué)等領(lǐng)域交叉融合的產(chǎn)物,是在IC工藝技術(shù)基礎(chǔ)上的延伸和拓
展,是微電子技術(shù)應(yīng)用的新突破。犧牲層技術(shù)作為MEMS的關(guān)鍵技術(shù)之一,是利用不同材料在同一種腐蝕液(或腐蝕
氣)中腐蝕速率的差異,選擇性地將結(jié)構(gòu)圖形與襯底之間的材料(即犧牲層材料)刻蝕掉,進(jìn)行結(jié)構(gòu)釋放,形成空腔上
膜或其他懸空結(jié)構(gòu)的一種微加工技術(shù)。
與其它光刻膠,金屬相比,光敏性PI作為犧牲層材料時(shí)有以下一些優(yōu)點(diǎn):粘度高,容易制得高厚度的犧牲層;
具有較好的流動(dòng)性,使得犧牲層表面更易于平坦化,有利于制作平整的結(jié)構(gòu);具有出色的耐熱性能,使其更容易
與其他MEMS工藝相兼容;對(duì)酸堿穩(wěn)定,耐腐蝕,且不溶于丙酮、乙醇等多數(shù)有機(jī)溶劑。因此,光敏聚酰亞胺是犧牲層
的首選材料。
PI固化專用厭氧烘箱，聚酰亞胺固化爐技術(shù)參數(shù)：
1. 溫度范圍：RT+50～500℃
2. 腔體尺寸(cm)：W50×D50×H50；可自定
3. 外形尺寸(cm):約173×160×119mm（W×D×H）；
4. 內(nèi)膽材質(zhì)：SUS304鏡面不銹鋼；
5. 加熱器：特制無(wú)塵加熱器；
6. 氧含量指標(biāo)：≤ 50ppm
7. 電源：380V/50HZ,三相五線制
8. 控制部分
a. 控制：曲線升溫模式；
b. 控溫儀表：觸摸屏溫控儀；
c. 控溫段數(shù)：多段數(shù)，多工藝；
d. 超溫報(bào)警：獨(dú)立限溫控制；
9.氮?dú)饪刂疲貉b有雙通道可調(diào)式氮?dú)饬髁坑?jì)，全程通氮?dú)狻?/span>
10.輔助降溫：風(fēng)冷、水冷
11.厭氧烘箱應(yīng)用于聚酰亞胺層（PI）固化烘烤.應(yīng)用聚酰亞胺時(shí)需要注意的問(wèn)題是厚度控制和亞胺化處理。一旦
亞胺化處理不當(dāng),聚酰亞胺膜層將發(fā)生降解和裂紋的現(xiàn)象,使其性能下降。另外,不同的亞胺化方法,所獲得聚酰亞
胺薄膜材料的性能也不一樣,實(shí)驗(yàn)中需嚴(yán)格控制亞胺化過(guò)程。
12.亞胺化的過(guò)程包含二個(gè)步驟:圖形化后的預(yù)亞胺化和完全亞胺化。多次實(shí)驗(yàn)后采用階梯升溫過(guò)程,亞胺化效果
最佳。采用程控烘箱進(jìn)行亞胺化,烘箱內(nèi)為純N2氛圍,如果升溫速率過(guò)快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮如果升溫速
率過(guò)快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮發(fā),而內(nèi)部的溶劑和水蒸氣卻殘留在薄膜內(nèi),則容易在犧牲層中產(chǎn)生氣孔開裂;
如果保溫時(shí)間不夠,將使溶劑不能完全排除,隨后的高溫亞胺化過(guò)程中同樣會(huì)產(chǎn)生氣泡甚至開裂,就不能形成機(jī)械
強(qiáng)度良好的亞胺膜.
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是微電子技術(shù)與機(jī)械,光 學(xué)等領(lǐng)域交叉融合的產(chǎn)物,是在IC工藝技術(shù)基礎(chǔ)上的延伸和拓
展,是微電子技術(shù)應(yīng)用的新突破。犧牲層技術(shù)作為MEMS的關(guān)鍵技術(shù)之一,是利用不同材料在同一種腐蝕液(或腐蝕
氣)中腐蝕速率的差異,選擇性地將結(jié)構(gòu)圖形與襯底之間的材料(即犧牲層材料)刻蝕掉,進(jìn)行結(jié)構(gòu)釋放,形成空腔上
膜或其他懸空結(jié)構(gòu)的一種微加工技術(shù)。
與其它光刻膠,金屬相比,光敏性PI作為犧牲層材料時(shí)有以下一些優(yōu)點(diǎn):粘度高,容易制得高厚度的犧牲層;
具有較好的流動(dòng)性,使得犧牲層表面更易于平坦化,有利于制作平整的結(jié)構(gòu);具有出色的耐熱性能,使其更容易
與其他MEMS工藝相兼容;對(duì)酸堿穩(wěn)定,耐腐蝕,且不溶于丙酮、乙醇等多數(shù)有機(jī)溶劑。因此,光敏聚酰亞胺是犧牲層
的首選材料。
PI固化專用厭氧烘箱，聚酰亞胺固化爐技術(shù)參數(shù)：
1. 溫度范圍：RT+50～500℃
2. 腔體尺寸(cm)：W50×D50×H50；可自定
3. 外形尺寸(cm):約173×160×119mm（W×D×H）；
4. 內(nèi)膽材質(zhì)：SUS304鏡面不銹鋼；
5. 加熱器：特制無(wú)塵加熱器；
6. 氧含量指標(biāo)：≤ 50ppm
7. 電源：380V/50HZ,三相五線制
8. 控制部分
a. 控制：曲線升溫模式；
b. 控溫儀表：觸摸屏溫控儀；
c. 控溫段數(shù)：多段數(shù)，多工藝；
d. 超溫報(bào)警：獨(dú)立限溫控制；
9.氮?dú)饪刂疲貉b有雙通道可調(diào)式氮?dú)饬髁坑?jì)，全程通氮?dú)狻?/span>
10.輔助降溫：風(fēng)冷、水冷
11.厭氧烘箱應(yīng)用于聚酰亞胺層（PI）固化烘烤.應(yīng)用聚酰亞胺時(shí)需要注意的問(wèn)題是厚度控制和亞胺化處理。一旦
亞胺化處理不當(dāng),聚酰亞胺膜層將發(fā)生降解和裂紋的現(xiàn)象,使其性能下降。另外,不同的亞胺化方法,所獲得聚酰亞
胺薄膜材料的性能也不一樣,實(shí)驗(yàn)中需嚴(yán)格控制亞胺化過(guò)程。
12.亞胺化的過(guò)程包含二個(gè)步驟:圖形化后的預(yù)亞胺化和完全亞胺化。多次實(shí)驗(yàn)后采用階梯升溫過(guò)程,亞胺化效果
最佳。采用程控烘箱進(jìn)行亞胺化,烘箱內(nèi)為純N2氛圍,如果升溫速率過(guò)快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮如果升溫速
率過(guò)快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮發(fā),而內(nèi)部的溶劑和水蒸氣卻殘留在薄膜內(nèi),則容易在犧牲層中產(chǎn)生氣孔開裂;
如果保溫時(shí)間不夠,將使溶劑不能完全排除,隨后的高溫亞胺化過(guò)程中同樣會(huì)產(chǎn)生氣泡甚至開裂,就不能形成機(jī)械
強(qiáng)度良好的亞胺膜.
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