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首先我們了解一下光刻為什么用黃光?

• 因?yàn)辄S光的波長較長, 難以使得光刻膠曝光, 因此將黃光作光刻區(qū)域的照明光源。

• 避免干擾光刻工藝

在半導(dǎo)體微影制程中，實(shí)際使用的光源并非黃光，而是深紫外光（DUV）或極紫外光（EUV），這些短波長光源用于精確地在硅晶圓表面的光刻膠上刻畫微細(xì)電路圖案。  

• 保護(hù)敏感材料

半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中使用的某些材料可能對可見光譜中的某些波長敏感，尤其是對紫外線敏感。黃光的波長較長，不易引起這些敏感材料的化學(xué)反應(yīng)。 

• 視覺舒適性

黃光相較于藍(lán)光等短波長光對人眼更加柔和，有助于減少長時間在無塵室工作的員工因高強(qiáng)度照明產(chǎn)生的視覺疲勞。

光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復(fù)制電路圖案的過程。

硅片上涂有二氧化硅絕緣層和光刻膠。光刻膠在紫外光照射下很容易被顯影劑溶解，經(jīng)過溶解和蝕刻后，電路圖案就會留在基板上。

HMDS烘箱使用于光刻涂膠工藝

光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。

HMDS烘箱的性能：

溫度范圍：RT+10-250℃

真空度：≤1torr

操作界面：人機(jī)界面

工藝編輯：可儲存多個配方

氣體：N2/HMDS，自動控制

容積：40-210L

產(chǎn)品兼容性：2~12寸晶圓及碎片、方片等

  HMDS烘箱適用行業(yè)：MEMS、太陽能、電池片、濾波、放大、功率等器件，晶圓、玻璃、貴金屬，SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO（氧化鋅）、GaO（氧化鎵）、金剛石等第三代半導(dǎo)體材料。