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致
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國(guó)內(nèi)團(tuán)隊(duì)在2D半導(dǎo)體（氮?dú)夂嫦洌┥先〉昧诵峦黄?/div>
研究人員在水溶性犧牲層上生長(zhǎng)了高 κ 鈣鈦礦氧化物。隨后，他們從該層中取出鈣鈦礦氧化物，并使用彈性體載體（即聚二甲基硅氧烷或 PDMS）將其轉(zhuǎn)移到兩種類型的二維半導(dǎo)體（氮?dú)夂嫦?/strong>）上。他們特別使用了二硫化鉬和二硒化鎢，這兩種不同的二維半導(dǎo)體使他們能夠分別制造 n 型和 p 型晶體管。 Renshaw Wang 和 Yang 在一系列測(cè)試中評(píng)估了他們制造的晶體管，發(fā)現(xiàn)它們?nèi)〉昧孙@著的成果。具體而言，二硫化鉬晶體管在1 V 的電源電壓和 66 mV dec-1 的最小亞閾值擺幅下表現(xiàn)出10的八次方的開(kāi)/關(guān)電流比。
來(lái)源:
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作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部
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發(fā)布時(shí)間: 2022-05-13
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南洋理工大學(xué)、北京大學(xué)、清華大學(xué)和北京量子信息科學(xué)研究院的研究人員最近展示了利用范德華力成功地將單晶滴定鍶（一種高 κ 鈣鈦礦氧化物）與二維半導(dǎo)體集成。他們的論文發(fā)表在Nature Electronics上，可以為開(kāi)發(fā)新型晶體管和電子元件開(kāi)辟新的可能性。
作為他們最近研究的一部分，研究人員表明，他們創(chuàng)造的晶體管可用于制造高性能和低功耗互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體逆變器電路。未來(lái)，他們的設(shè)備可以大規(guī)模制造，用于開(kāi)發(fā)低功耗的邏輯電路和微芯片。
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